Исследование твердых растворов AlInGaPAs, выращенных на подложках арсенида галлия и фосфида индия в поле температурного градиента

Abstract

Настоящая работа посвящена исследованию закономерностей роста пятикомпонентных твердых растворов (ПТР) AlInGaPAs на подложках арсенида галлия и фосфида индия и исследовании их свойств. Выращивание ПТР проводили методом зонной перекристаллизации в поле температурного градиента (ЗПГТ). Исследования тонких пленок показали, что структурное совершенство полученных гетероструктур существенно зависит от технологических параметров процесса зонной перекристаллизации градиентом температур (ЗПГТ) и качества материала подложки. Исследование спектров фотолюминесценции трех-, четырех- и пятикомпонентных твердых растворов, выращенных на подложках арсенида галлия и фосфида индия, показали, что в производстве устройств оптоэлектроники предпочтительно использование ПТР.