Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей

Арустамян, Давид Арсенович

Главная
→
Диссертационные советы
→
Д 212.101.07 - Физико-математические науки
→
Диссертации
→
Просмотр документа

dc.contributor.author	Арустамян, Давид Арсенович
dc.date.accessioned	2017-08-31T13:51:20Z
dc.date.available	2017-08-31T13:51:20Z
dc.date.issued	2017-08-30
dc.identifier.uri	http://docspace.kubsu.ru/docspace/handle/1/1060
dc.description.abstract	В работе проведено моделирование оптических и электрофизических характеристик фотоактивных структур. Установлена взаимосвязь между составом многокомпонентных твердых растворов, использующихся в качестве поглощающего слоя, и основными характеристиками фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Рассмотрены способы кристаллизации гетероструктур различными методами. Получены и исследованы гетероструктуры на основе многокомпонентных твердых растворов. Изучено влияние характеристик функциональных покрытий на эффективность ФЭП.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.subject	фотоактивная структура, оптические и электрофизические характеристики, моделирование, кристаллизация гетероструктур	ru
dc.title	Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей	ru
dc.type	Dissertation	ru