КубГУ DocSpace

Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей

Показать сокращенную информацию

dc.contributor.author Арустамян, Давид Арсенович
dc.date.accessioned 2017-08-31T13:51:20Z
dc.date.available 2017-08-31T13:51:20Z
dc.date.issued 2017-08-30
dc.identifier.uri http://docspace.kubsu.ru/docspace/handle/1/1060
dc.description.abstract В работе проведено моделирование оптических и электрофизических характеристик фотоактивных структур. Установлена взаимосвязь между составом многокомпонентных твердых растворов, использующихся в качестве поглощающего слоя, и основными характеристиками фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Рассмотрены способы кристаллизации гетероструктур различными методами. Получены и исследованы гетероструктуры на основе многокомпонентных твердых растворов. Изучено влияние характеристик функциональных покрытий на эффективность ФЭП. ru
dc.language.iso ru ru
dc.subject фотоактивная структура, оптические и электрофизические характеристики, моделирование, кристаллизация гетероструктур ru
dc.title Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей ru
dc.type Dissertation ru


Файлы в этом документе

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию

Поиск в DocSpace


Расширенный поиск

Просмотр

Моя учетная запись