Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей

Abstract

В работе проведено моделирование оптических и электрофизических характеристик фотоактивных структур. Установлена взаимосвязь между составом многокомпонентных твердых растворов, использующихся в качестве поглощающего слоя, и основными характеристиками фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Рассмотрены способы кристаллизации гетероструктур различными методами. Получены и исследованы гетероструктуры на основе многокомпонентных твердых растворов. Изучено влияние характеристик функциональных покрытий на эффективность ФЭП.