Аннотации:
Цель диссертационной работы состоит в изучении физических закономерностей взаимодействия низкоэнергетических ионов аргона с поверхностью кристаллических моноарсенидов индия и галлия со структурой сфалерита и исследовании их свойств.
Для достижения цели решены следующие задачи:
1. Разработана модель формирования периодически модулированной упорядоченной волнообразной структуры на поверхности моноарсенидов галлия и индия при бомбардировке ионами, падающими под углом на поверхность.
2. Экспериментально исследованы закономерности наноструктурирования, эволюция морфологии и фасетации поверхности моноарсенидов индия и галлия под действием низкоэнергетичного потока ионов аргона.
3. Создана модель нестехиометричного распыления бинарных полупроводниковых материалов, учитывающая изменение состава приповерхностных слоев за счет преимущественного распыления компонент.
4. Изучены закономерности изменения состава приповерхностных областей и исследована температурная зависимость нестехиометричного распыления моноарсенидов галлия при облучении аргоновым ионным пучком различной энергии.
5. Экспериментально изучена кинетика процесса кристаллизации низкоразмерных наноструктур на основе моноарсенидов индия и галлия и исследовано влияние энергии, плотности потока и температуры на морфологию островковых наноструктур.
